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SiCMOSFETs在温度冲击试验中的失效原因研究-汽车技术2026年02期

SiCMOSFETs在温度冲击试验中的失效原因研究

作者:朱帅帅 周昕 陈杰 韩松 字体:      

主题词:SiCMOSFETs 温度冲击 失效分析 分层

中图分类号:TN386 文献标志码:A DOI:10.19620/j.cnki.1000-3703.20250372

InvestigationofFailure Mechanismsin SiC MOSFETsunder Temperature Shock Testing

Zhu Shu(试读)...

汽车技术

2026年第02期